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种 AMOLED 技术简介

AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)是有源矩阵有机发光二极体面板。

相比传统的液晶面板,

AMOLED 具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。

因为

AMOLED 不管在画质、效能及成本上,先天表现都较 TFT LCD 优势很多。这也是

许多国际大厂尽管良率难以突破,依然不放弃开发

AMOLED 的原因。目前还持续投入开发

AMOLED 的厂商,除了已经宣布产品上市时间的 Sony,投资东芝松下 Display(TMD)的东
芝,以及另外又单独进行产品开发的松下,还有宣称不看好的夏普。

2008 年 8 月发布的

NOKIA N85,以及 2009 年第一季度上市的 NOKIA N86 都采用了 AMOLED。

在显示效能方面,

AMOLED 反应速度较快、对比度更高、视角也较广,这些是

AMOLED 天生就胜过 TFT LCD 的地方;另外 AMOLED 具自发光的特色,不需使用背光板,
因此比

TFT 更能够做得轻薄,而且更省电;还有一个更重要的特点,不需使用背光板的

AMOLED 可以省下占 TFT LCD 3~4 成比重的背光模块成本。

AMOLED 的确是很有魅力的产品,许多国际大厂都很喜欢,甚至是手机市场最热门的

产品

iPhone,都对 AMOLED 有兴趣,相信在良率提升之后,iPhone 也会考虑采用

AMOLED,尤其 AMOLED 在省电方面的特色,很适合手机,目前 AMOLED 面板耗电量
大约仅有

TFT LCD 的 6 成,未来技术还有再下降的空间。

当然

AMOLED 最大的问题还是在良率,以目前的良率,AMOLED 面板的价格足足高

TFT LCD 50%,这对客户大量采用的意愿,绝对是一个门槛,而对奇晶而言,现阶段也

还在调良率的练兵期,不敢轻易大量接单。

(1)金属氧化物技术(Metal oxide TFT)
这种生产技术目前被很多厂家及专业调查公司看好,并认为是将来大尺寸

AMOLED

技术路线的首选,各个公司也有相应的大尺寸样品展出。

该技术

TFT 基板在加工过程中,可采取液晶行业中常见的、成熟的大面积的溅镀成膜

的方式,氧化物为

InGaO3(ZNO)5,尽管这种器件的电子迁移率较 LTPS 技术生产出来的产

品要低,基本为

10 cm2/V-sec,但这个迁移率参数为非晶硅技术器件的 10 倍以上,该器件

电子迁移率完全能够满足

AMOLED 的电流驱动要求,因此可以应用于 OLED 的驱动。

目前金属氧化物技术还处于实验室验证阶段,世界上没有真正进行过量产的经验,主

要的因素是其再现性及长期工作稳定性还需要进一步改善和确认。

(2)低温多晶硅技术(LTPS TFT)
该技术是目前世界上唯一经过商业化量产验证、在

G4.5 代以下生产线相当成熟的

AMOLED 生产技术。

该技术和非晶硅技术主要的区别是利用激光晶化的方式,将非晶硅薄膜变为多晶硅,

从而将电子迁移率从

0.5 提高到 50-100 cm2/V-s,以满足 OLED 电流驱动的要求。

该技术经过多年的商业化量产,产品性能优越,工作稳定性好,同时在这几年的量产

中,其良品率已得到很大的提高,达到

90%左右,极大的降低了产品成本。

从以上

LTPS 的工艺流程可以看出,其和非晶硅技术的主要区别是增加了激光晶化过

程和离子注入过程,其它的加工工艺基本相同,设备也和非晶硅生产有相通之处。