掺 杂 和 扩 散 I 动 机
更 快 的 M OSFET 要 求
更短的沟道
P
+
多晶
更 浅 的 源 ,漏 深 度
沟 道 更 短 ， 同 源 , 漏 深 =>
需 要 更 好 的 控 制 掺 杂 & 扩 散
漏 极 场 决 定 了 栅 极 场
= >
”
漏 极 引 起 势 垒 降 低
”
DI B L
沟 道 长 宽 比
=>
ρ
s
6.155/ 3.155J 9/29/03
1
掺 杂 和 扩 散 I 动 机
更 快 的 M OSFET 要 求
更短的沟道
P
+
多晶
更 浅 的 源 ,漏 深 度
沟 道 更 短 ， 同 源 , 漏 深 =>
需 要 更 好 的 控 制 掺 杂 & 扩 散
漏 极 场 决 定 了 栅 极 场
= >
”
漏 极 引 起 势 垒 降 低
”
DI B L
沟 道 长 宽 比
=>
ρ
s
6.155/ 3.155J 9/29/03
1