1.硅片表面出现单一的一条阴刻线（凹槽）、一条阳刻线（凸出），并不是由于碳化硅微
粉的大颗粒造成的，单晶硅、多晶硅在拉制过程中出现的硬质点造成跳线，而形成的线痕

①

②

③

硅片表面集中在同一位置的线痕，很乱且不规则；机械原因、导轮心震过大、多

晶硅铸锭的大块硬质晶体；

①

硅片切割第一刀出现线痕，硅片表面很多并不太清晰：沙浆粘度不够、碳化硅微粉粘

②

③

④

浮钢线少、切削能力不够，碳化硅微粉有大颗粒物，钢线圆度不够、带沙量降低，

⑤

⑥

钢线的张力太小产生的位移划错，钢线的张力太大、线弓太小料浆带不过去，打沙浆

⑦

⑧

⑨

的量不够，线速过高、带沙浆能力降低，沙、液比例不合适，热应力线膨胀系数太

⑩

大，各参数适配性差。

①

切割中集中在某一段的废片，是由于跳线引起的；跳线的原因：导轮使用时间太长、

严重磨损引起的跳线（导轮使用次数一般为

75-85

②

次），沙浆的杂质进入线槽引起的跳

线。

5.常见阴刻线线痕，由于晶棒本身有生成气孔，切割硅片后可见像硅表面一样亮的阴刻线，

并不是线痕。

①

常见线痕：进刀口：由于刚开始切割，钢线处在不稳定状态，钢线的波动产生的线痕

②

（进线点质硬，加垫层可消除线摆）；倒角处的线痕：由于在粘结硅棒时底部残留有胶，

③

到倒角处钢线带胶切割引起的线痕，硅棒后面的线痕：钢线磨损、造成光洁度、圆度都

不够，带沙量低、切削能力下降、线膨胀系数增大引起的线痕。

单晶硅片制作流程生产工艺流程具体介绍如下：

固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生

废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至

300~500℃，硅片表面和氧气发生

反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层

及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平

坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。
清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序
产生有机废气和废有机溶剂

并且脱去外套盖在女孩身上。

RCA 清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子,mbt lami

。

SPM 清洗：用 H2SO4 溶液和 H2O2 溶液按比例配成 SPM 溶液，SPM 溶液具有很强的氧
化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成

CO2 和 H2O。用 SPM 清洗

硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。
DHF 清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金
属也被溶解到清洗液中，同时

DHF 抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。