PE 工序再利用片的处理技巧

PECVD 工序是太阳能电池加工的第 4 道工序，此道工序的目的是利用射频电源的辉光

发电，使

SiH4 与 NH3 发生电离，在低压、高频、高温的环境下在硅片表面沉积一层起减反

射与钝化作用的氮化硅蓝膜，从而增加光的吸收，提高电池转换效率。

　　在加工正常硅片时，在任何工序都不会在异常，但是在加工再利用片时，经常会发生
碎片率高于正常片

0.1%，高频报警次数多，造成的色差片比例约为 3.5%，且效率效正常

片低

0.1%左右。

　　下面就介绍一点

PE 工序再利用片的处理技巧。

　　首先再利用片较正常片薄，经过二次制绒，硅片被腐蚀两次，必然变薄，这是我们没
有办法改变的现状，只能从其他角度下手，通过

5W1H 的分析方法，发现工艺方法存在问

题，需要改进。

　　现行工艺温度

450

℃，硅片薄易变形，导致碎片产生，且有碎片后，定产生高频报警，

从而增加色差数量。在工艺时，将工艺温度调整由

450

℃降低到 420℃，并保证膜厚折射率

与目前相同，并要求工艺时间短于或与目前工艺时长相同，关注色差数量。

　　实验一：小批量实验参数的可靠性

　　工艺温度由

450

℃降到 420℃；工艺时长为 39 分 55 秒，与正常工艺相同。

　　结论：片内膜厚均匀，颜色一致，无明显色差

　　实验二：两种工艺处理正常片

　　将同一批次硅片在同工艺处理后均分，其他工艺环境相同，一批按原工艺进行处理，
一批按照新型处理工艺进行处理，对比色差数量与转换效率。

　　结论：

工艺

膜厚

折射率

效率

原工艺

80

2.055

17.55%

新工艺

82

2.058

17.58%