多用途晶体硅硅片的制造方法介绍

美国纳米工程研究中心（

CRNE）的一个研究组与巴塞罗那大学电子工程系的研究

人员共同开发出一种更便捷更便宜的晶体硅制备方法。他们的研究成果刊登在最近一期
的应用物理学报上。这种很薄的硅片厚度在

10 微米左右，造价昂贵但是微电子学所期望

的，尤其是随着微芯片三维集成电路发展这是必然的选择。硅片技术的发展为光伏技术
的发展提供了更为广阔的前景，尤其是柔性电池的发展方面收益颇大。

　　近些年来，技术的发展带来了硅片向着更加薄的方向发展。线切割所能带来的最薄
的硅片厚度在

150 微米左右。利用线切割技术获得更薄的硅片比较困难，但是在切割过

程中损耗的硅材料占到一半左右。该研究小组的方法与一般线切割的区别在于：只要一
步就能实现，并且可以生产出效率更好的、速度更快的、而且价格更加便宜的硅片。

　　该方法基于在材料的表面制造出很多微小的细孔，加工过程辅佐高温来实现。硅片
的分割过程可以精确地控制微小细孔的形状。精确控制的细孔直径不仅能够控制硅片的
数量，同时可以精确控制厚度、以及偏差。这种夹心状的硅片可以通过叶片状剥落。预期
的硅片数量和厚度可以很精确地得到控制。

CRNE 的科学家可以很容易地将一块 300 毫

米厚的硅片分割成

10 片更薄的硅片，每片在 5 到 7 毫米之间。