高能质子植入机原型（达

150 um）

　　在被问及有关其他薄膜硅技术提供商最近发布的新闻稿的问题时，

Henley 表示：

“最新发布的这些新闻进一步确认了市场需要能帮助降低高效硅吸光体制造成本的新方
法和新工艺。我们曾在

2006 年在美国国家可再生能源实验室对 Ampulse 热丝化学气相沉

积（

CVD）技术和 SiGen 层转移单晶硅薄膜一起进行了评估。我转而选择了我们的直接

高能束流诱导切削方法。这一方面能帮助公司使用他们新型的纹理支撑技术来制造高品
质薄膜。就在我们的此次新技术公布前不久，

Twin Creeks Technologies 宣布推出与我们

束流诱导晶圆制造工艺类似的工艺，不过据报道他们的工艺仅限于生产接合式（非独立
式）

20um 薄膜。作为束流诱导晶圆制造技术的先锋企业，而且假定对方没有使用我们

100 多项美国专利组合中任一种专利（我们正在监督），SiGen 很高兴看到另一家公司
认识到薄晶体硅在帮助大幅降低太阳能电池成本上的重要性。事实是

Twin Creeks 

Technologies 在评估了 SiGen 的束流诱导晶圆商业计划和技术（包括我们的 200 万电子
伏特植入机原型）之后不久就获得一家风投公司的资助，这一点值得关切。

”