方形硅片加工的主要步骤

硅抛光片的几何参数及一些参数定义

　　硅抛光片的基本几何参数

　　集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有一系列参数来表示和限制。主要包括：
硅片的直径或边长，硅片的厚度、平整度、翘曲度及晶向的测定，下面分别一一讨论。

　　

1. 硅片的直径（边长），硅片的厚度是硅片的重要参数。如果硅片的直径（边长）

太大，基于硅片的脆性，要求厚度增厚，这样就浪费昂贵的硅材料，而且平整度难于保
证，对后续加工及电池的稳定性影响较大，再说单晶硅的硅锭直径也很难产生很大；直
径或边长太小，厚度减小，用材少，平整度相对较好，电池的稳定性较好，但是硅片的
后续加工会增加电极等方面的成本。一般情况下，太阳能电池的硅片是根据硅锭的大小
设置直径或边长的大小，一般的圆形单晶、多晶硅硅片的直径为（

76.2 mm ）或（101.6 

mm ），而单晶正方形硅片的边长为 100mm、125mm、150mm；多晶正方形硅片的边长
为

100mm、150mm、210mm。

　　

2. 硅片的平整度是硅片的最重要参数，它直接影响到可以达到的特征线宽和器件的

成品率。对于太阳能硅片则影响转换效率和寿命，不同级别集成电路的制造需要不同的
平整度参数，平整度目前分为直接投影和间接投影，直接投影的系统需要考虑的是整个
硅片的平整度，而分步进行投影的系统需要考虑的是投影区域的局部的平整度。太阳能
硅片要求较低，硅片的平整度一般用

TIR 和 FPD 这两个参数来表示。

　　

3. 硅片的翘曲度是衡量硅片的参数之一，它也影响到可以达到的光刻的效果和器件

的成品率。不同级别集成电路的制造需要不同的翘曲度参数，硅片的翘曲度一般用
BOW、TTV 和 WARP 这三个参数来表示。

　　

4.晶向的测定也是一个重要的参数晶向是指晶列组的方向，它用晶向指数表示。半

导体集成电路是在低指数面的半导体衬底上制作的。硅

MOS 集成电路硅片通常为

（

100）晶面的硅片，硅双极集成电路硅片通常为（111）晶面或（100）晶面的硅片。硅