人的的想法是，使用微波电子回旋共振法代替当前普遍使用的

PECVD--两大明显优

 

势： 一，前者是无电极放电，因而避免了因后者电极引入的杂质。二，放电功率高 ，
并能使

H 气最大限度的离解，也极大的降低了由于 H 气引入的一些缺陷态，进而一

定程度上抑制了

S-W 效应。

对于

3. 电池上表面作成绒面的陷光结构+增透膜；电池背面加背反射层

对于

4. 多层的基础上适当的减薄 I 层的厚度以增强电场强度，从而增强载流子的吸

收
对于

5. 

“

”

暗 电 流是 光 生 电压引出 到 外 电 路 之后引 起 的 正 向 电流 ，该如 何 减 少本 人

暂不明白。

以上是个人在 学习过程中总结出的一点看 法，也许 有不当之 处，还请 高手们指正；
另外，我发此帖子也只是抛砖引玉，希望大家各抒己见，目的是我们能够共同进步。

：

LZ 很有想法，不过 LZ 还是先多看点文献资料，很多点子已经有不少文章了，可行与否

已经给出了大案。
对于

LZ 说的 P、N 层的载流子对光电流不起作用这种说法需要注意，电导率（或者电阻）

取决于在载流子浓度和载流子迁移率，如果做成活跃层，比如接近吸收层的话，电阻会很
大的，这就相当于有一个很大的串联电阻存在，光生电流不就损耗更大了？
a-SiC 窗口层跟 a-Si 本征层有晶格失配的问题，LZ 知道纳米硅层和 a-Si 本征层的失配不是
更大？
多看文献，多想想，有想法不错。

：第

5 点，应该是反向饱和暗电流，不是暗电流

：谢谢

 很高兴有朋友们指正，是我表达上出了问题，我的本意是：

       非晶硅电池中，所产生光电流中绝大部分或者说基本上都是来自本征层所产生的光生
载流子，而来自

P 层和 N 层贡献的光生载流子微乎其微，这就是我说“P、N 两层是做为‘死

层

’而存在的，主要起提供电场的作用，而他们区域内的载流子对光电流几乎不起作用”所

要表达的意思。
       至于为什么来自 P 层和 N 层所贡献的光生载流子微乎其微，我的理解是：非晶硅中载
流子的扩散长度很短，无法象晶体硅那样从稍远处扩散到

P、N 结附近而被内电场分离，从

而最终形成光电流流出电池；它们还没来得及到

PN 结附近便复合掉了（这也正是为什么

非晶硅用

PIN 结构的原因之一）。

       对于此，我提到用微晶硅或者纳米硅做 P 层和 N（应该有不少这样的研究，但效果并
不很理想，具体原因本人暂还不明白），就是考虑到：微晶硅或者纳米硅的载流子电导率
和迁移率特性要远优于非晶硅的（纳米硅的迁移率在

3-10CM2/V.S，而非晶硅的在 0.01-

0.1CM2/V.S 之间），那么让他们做 P、N 层后，P、N 中所产生的光生载流子就至少有不少的
一部分扩散到

PN 结附近而被内电场分离，并最终变成光电流流出电池。

    以上只是我个人的理解，有待我日后进一步考证，如果不正确，请各位指出，也算是帮
了我个忙。

：补充