上图表示
HIT 太阳电池的基本构造,
其特征是以光照射侧的
p-i 型 a-Si 膜
( 膜厚 5-10 nm) 和背面侧的 i-n 型
a-Si 膜 ( 膜厚 5-10 nm) 夹住
单结晶
Si 片(图中是 250μm ) ,
在两侧的顶层形成透明的电极和集电极, 构成具有对称构造的 HIT 太阳电池。