上图表示

HIT 太阳电池的基本构造，

其特征是以光照射侧的

p-i 型 a-Si 膜

(  膜厚 5-10 nm)  和背面侧的 i-n 
型

a-Si  膜 (  膜厚 5-10 nm) 夹住

单结晶

Si  片（图中是 250μm ） , 

在两侧的顶层形成透明的电极和集电极
,  构成具有对称构造的 HIT  太阳电
池。