5、多种衬底上异质材料的生长同时并进开发，GaAs 技术目前最为成熟，充分发挥 InP

衬底的优异性能，挖掘

lnP 衬底的潜力的研究正在广泛进行;

6、宽带隙的材料研究受到高度重视，特别是以 CaN 为代表的第三代半导体材料的研究，

已成为各国业内科学家研发的热点

;SiC 材料已研制成功许多性能优异的器件，如

MOSFET、MESFET、JFET 等。

MOCVD 技术在半导体材料和器件及薄膜制备方面取得了巨大的成功。尽管如此，

MOCVD 仍是一种发展中的半导体超精细加工技术，MOCVD 技术的进一步发展将会给微
电子技术和光电子技术带来更广阔的前景。