假如电压基准下降了

1%，则所有的读数都将增加 1%。电压基准是由某种物理

量产生的，可以是反向偏置

PN 结的雪崩击穿(一个齐纳基准)、两个基极-发射极

电压之差

(一个带隙基准)、或一个电容器上存储的电荷(一个 EPROM 基准)。每个

AFE IC 在生产中都进行了微调，以使电压基准的初始值非常准确。不幸的是，

视

IC 技术的不同而不同，电压基准可能随着时间、温度、湿度和印刷电路板

(PCB)组装应力的不同而产生极大的变化。这导致一些 IC

“

”

厂商只提出 典型 准

确度，而关于

AFE IC 在真实世界中会怎样表现则未提供指导。

要在严酷的汽车环境中运行，最佳技术是齐纳基准。数年来，凌力尔特新的

LTC6804 AFE 电池组监视器 IC 运用齐纳电压基准技术，以保持优于所需的准

确度。

LTC6804 比前一代产品有了显著改进，前一代产品依靠带隙电压基准。例

如，考虑

PCB 组装所产生的应力。AFE IC 在焊接过程中会遭受几种热冲击。在

塑料封装和铜引线框架的膨胀和收缩过程中，芯片会经受机械应力。带隙基准的

表现就像一个应变计，将机械应力转换成基准电压的变化。电压基准的任何变化

都会直接降低电池测量的准确度。

PCB 器件应力的影响示于图 3，在热冲击之前

和之后对

10 个 AFE IC(3 种类型)进行了测量。基准漂移以电池测量误差(单位是

mV)来表示(假设采用的是一个 3.3V 电池)。

mV   of   additional 

measurement   error 

due

 

to

 

PCB 

assembly ： 由 于

PCB 组装而产生的额外测量误差(单位 mV)

Number of units out of 10：来自 10 个器件的个数

Competitor：竞争对手的器件

Hours   in   the   test 

chamber   with,   then 

without   a   cup   of 

water ：在 有、 然后 是