晶闸管和 IGBT 的区别是什么？

晶闸管和 IGBT 都是功率半导体器件。它们阻断高压的能力主要取决于器

件结构中特定 PN 结的反偏击穿电压。在功率器件中反偏 PN 结击穿电压往往又

受到 PN 结终结处表面特性或外界气氛影响，提前出现击穿现象。终结端就是为

了避免此现象发生而专门设计的特殊结构。结终端结构可分为截断型和延伸型两

大类。

硅片边缘表面造型、腐蚀、表面钝化等设计和工艺就是为了减小表面电场，

阻断外界干扰，这是截断型的通常做法。IGBT 用的是平面工艺，结终端是延伸

型。在主结边缘处设置一些延伸结构，起到主结耗尽区向外扩展作用，从而降低

其内的电场强度，避免提前击穿发生。这类结终端有：场板(FP)、场限环(FLR)、

结终端延伸(JTE)、横向变参杂(VLD)等结构。对高压 IGBT 器件，用得最多的，

工艺上容易实现的是场限环结构。为满足不断提高的工作电压需要这些结构也不

是一成不变，而是不断发展的，还有的设计将上述方法结合起来使用。

更多有关

晶闸管知识欢迎

登录武整官网