可控硅原件的符号都有哪些特殊含义呢？

随着电子元器件行业的不断发展，现如今很多人对可控硅已经很了解了，

那么可控硅元件中参数的符号都代表了哪些意义呢？下面由西安瑞新可控硅

网为大家一一介绍：

①断态电压临界上升率 dv/dt：在额定结温和门极断路时，使元件从断态

转入通态的最低电压上升率。

②门极触发电流 IGT：在室温下，主电压为 6 伏直流电压时，使元件完全

开通所必须的最小门极直流电流。

③断态重复峰值电压 VDRM：为不重复断态峰值电压的 90％。

④门极触发电压 VGT：对应于门极触发电流时的门极直流电压。

⑤断态重复平均电流 IDR：对应于断态重复峰值电压下的平均漏电流。

⑥断态不重复峰值电压 VDSM：门极断路时，在正向伏安特性曲线急剧

弯曲处的断态峰值电压。

⑦断态不重复平均电流 IDS：门极断路时，在额定结温下对应于断态不重

复峰值电压下的平均漏电流。

⑧通态平均电流 IT：在环境温度为+40℃和规定冷却条件下，元件在电阻

性负载的单相工频正弦半波，导通角不小于 170 度的电路中，当结温稳定并

不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流

。