可控硅主要参数都有哪些？

可控硅常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管

触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。

可控硅的主要参数有：

1、额定通态平均电流 IT 在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的

50 赫兹正弦半波电流的平均值。

2、正向阻断峰值电压 VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还

未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的

正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

3、反向阻断峰值电压 VPR 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，

可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个

参数值。

4、控制极触发电流 Ig1、触发电压 VGT 在规定的环境温度下，阳极---阴

极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电

流和电压。

5、维持电流 IH 在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最

小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控

硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发

信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。