可控硅模块温度保护的措施有哪些？

可控硅模块与其它功率器件一样，工作时由于自身功耗而发热。如果不采

取适当措施将这种热量散发出去，就会引起模块管芯 PN 结温度急剧上升。致

使器件特性恶化，直至完全损坏。晶闸管的功耗主要由导通损耗、开关损耗、

门极损耗三部分组成。在工频或 400Hz 以下频率的应用中最主要的是导通损

耗。为了确保器件长期可靠地工作，设计时散热器及其冷却方式的选择与电力

半导体模块的电流电压的额定值选择同等重要，千万不可大意！散热器的常用

散热方式有：自然风冷、强迫风冷、热管冷却、水冷、油冷等。考虑散热问题

的总原则是：控制模块中管芯的结温 Tj 不超过产品数据表给定的额定结温

实际上，可控硅模块元件的结温不容易直接测量，因此不能用它作为是否

超温的判据。通过控制模块底板的温度（即壳温 Tc）来控制结温是一种有效的

方法。由于 PN 结的结温 Tj 和壳温 Tc 存在着一定的温度梯度，知道了壳温也

就知道了结温，而最高壳温 Tc 是限定的，由产品数据表给出。借助温控开关

可以很容易地测量到与散热器接触处的模块底板温度（温度传感元件应置于模

块底板温度最高的位置）。从温控天关测量到的壳温可以判断模块的工作是否

正常。若在线路中增加一个或两个温度控制电路，分别控制风机的开启或主回

路的通断（停机），就可以有效地保证晶闸管模块在额定结温下正常工作。

需要指出的是，温控开关测量到的温度是模块底板表面的温度，易受环境、

空气对流的影响，与模块和散热器的接触面上的温度 Tc，还有一定的差别（大

约低几度到十几度），因此其实际控制温度应低于规定的 Tc 值。用户可以根据

实际情况和经验决定控制的温度。