DT98-2 

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设计指南 

                         

功率驱动集成电路中自举元件的选择 

 
 
 
 
1.  自举电路工作原理 

 
    V

bs

(驱动电路 V

b 

和 Vs 管脚之间的电压差)给集成电路高端驱动电路提供电

源。该电源电压必须在 10-20V 之间，以确保驱动集成电路能够完全地驱动
MOS 栅极器件(MGT)。IR 公司的部分驱动集成电路有  V

bs

欠压保护，当 V

bs

电

压下降到一定值时(见数据表中 V

bsuv

)，将关闭高端驱动输出，这保证了 MGT 不

会在高功耗下工作。 

 
    V

bs

电源是悬浮电源，附加在 Vs 电压上(Vs 通常是一个高频的方波)。有许

多方法可以产生 V

bs

悬浮电源，其中一种如本文中介绍的自举方式。这种方式

的好处是简单、低廉，但也有局限性。占空比和开通时间受限于自举电容的再
充电(长时间导通和大占空比时要求有充电泵电路支持,见 AN978)，自举电源由
二极管和电容组成，如图 1 所示。 

 

Vdc

Dbs

Vcc

Vb

Ho

Vs

Cbs

R

Q1

To low side load or FET

 

 

图 1. 自举二极管和电容电路 

 

  电路的工作原理如下，当 Vs 被拉到地时(通过下端器件或负载，视电路结

构而定)，15V V

cc

电源通过自举二极管(D

bs

) 给自举电容(C

bs

)充电。因此给 V

bs

提

供一个电源。