深入浅出教你读懂 FET

   现在；一台台电源，几乎都能发现 FET 的影子。几乎每个电源工程师都用过这东
西，或用来逆变；或用来整流；或就当个开关。

 因为用处不同；每个厂家都对不同用处 FET 做了专门优化。以致同样耐压/电流的
FET；有多个型号。自然；每个厂家都有其独特的特点。高低贵贱；百花齐放，可见；
作为工程师，读懂 FET；选取最合适的器件，是多重要！

FET 管是由一大群小 FET 在硅片上并联的大规模集成功率开关。每个小 FET 叫胞，
每个胞的电流并不大，只有百毫安级。设计师采用蚂蚁捍树的办法；多多的数量
FET 并联；达到开关大电流。也就是同样大小硅片和耐压下；胞越多；允许电流越
大。

得益于多胞结构；FET 的寄身二极管拥有了耐受电压击穿的能力。即所谓的雪崩耐
量。在数据表中；以 EAR（可重复雪崩耐量）和 EAS（单次雪崩耐量）表示。它表
征了 FET 抗电压（过压）冲击的能力。因此；许多小功率反激电源可以不用 RCD
吸收，FET 自己吸收就够了。

用在过压比较严重的场合，这点要千万注意啊！大的雪崩耐受力；能提高系统的可
靠性！FET 的这个能力和电压；终身不会改变。

红色指示的是 FET 开关的沟道，兰色的是寄生的体二极管。

平时；FET 是关断的。当栅上加正压时；在邻近栅的位置；会吸引许多电子。这样；
邻近的 P 型半导体就变成了 N 型；形成了连接两个 N 取的通道（N 沟道），FET
就通了。显然；FET 的耐压越高；沟道越长；电阻越大。这就是高压 FET 的 RDSON
大的原因，反之；P 沟 FET 也是一样的，这里不在叙述。