电力电子技术复习题 1

第 1

 

章 电力电子器件

1.

电力电子器件一般工作在

__

   开关

 

 __

   

状态。

2.

在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为

__

   通态损耗

 

 __

   

，而当器件开关频率较高

时，功率损耗主要为

__

   开关损耗

 

 __

   

。

3.

电力电子器件组成的系统，一般由

__

   控制电路

 

 __

   

、

_  驱动电路

 

 _  

 

、

_  主电路

 

 _  

三部分组成，

由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加

_  保护电路

 

 __

   

。

4.

按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为

_  单极型器件

 

 _  

   

、

_

双极型器件

 

 _  

 、

_  复合型器件

 

 _  

三类。

5.

电力二极管的工作特性可概括为

_  承受正向电压导通，承受反相电压截止

 

 _  

。

6.

电力二极管的主要类型有

_  普通二极管

 

 _  

、

_  快恢复二极管

 

 _  

 

、

_  肖特基二极管

 

 _  

。

7.

肖特基二

极管的开关损耗

_  小于

 

 _  

快恢复二极管的开关损耗。

8.

 

晶闸管的基本工作特性可概括为

__

   正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止

 

 __

   

 。

9.

对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL

__

   大于

 

 __

   

IH

 。

10.

晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM

_  大于

 

 _  

_

Ubo。

11.

逆导晶闸管是将

_  二极管

 

 _  

与晶闸管

_  反并联

 

 _  

（如何连接）在同一管芯上的功率集成器

件。

12.

GTO 的

__

   多元集成

 

 __

   

结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.

MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个

区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的

_  截止区

 

 _  

、前者的饱和区对应后者的

__

   放

   

大区

 

 __

   

、前者的非饱和区对应后者的

_  饱和区

 

 __

   

。

14.

电力 MOSFET 的通态电阻具有

__

   正

   __

   

温度系数。

15.

IGBT 的开启电压 UGE（th）随温度升高而

_  略有下降

 

 __

   

，开关速度

__

   小于

 

 __

   

电力

MOSFET 。

16.

按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为

_  电压驱动型

 

 _  

和

_  电流驱动型

 

 _  

两类。

17.

IGBT 的通态压降在 1/2 或 1/3 额定电流以下区段具有

__

   负

   ___

   

 

温度系数， 在 1/2 或

1/3 额定电流以上区段具有

__

   正

   ___

   

温度系数。