肖特基二极管作用

肖特基二极管是贵金属

(金、银、铝、铂等)A 为正极，以 N 型半导体 B 为负极，利

用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属

-半导体器件。因为 N 型半导

体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的
B 中向浓度低的 A 中扩散。显然，金属 A 中没有空穴，也就不存在空穴自 A 向 B 的
扩散运动。随着电子不断从

B 扩散到 A，B 表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性

被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为

B→A。但在该电场作用之下，A 中的电子

也会产生从

A→B 的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一

定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动
达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以

N 型半导体为基片，在上面形成用砷

作掺杂剂的

N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除

边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

N 型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较

H-层要高 100%倍。在基片下边形成 N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过
调整结构参数，

N 型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基

势垒两端加上正向偏压

(阳极金属接电源正极，N 型基片接电源负极)时，肖特基势垒

层变窄，其内阻变小

;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则

变宽，其内阻变大。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与

PN 结整流管有很大的区别通常将 PN 结

整流管称作结整流管，而把金属

-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅

平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成
本，还改善了参数的一致性。肖特基二极管特性曲线的比较看得出来。

由于肖特基二极管结构坚固，反应速度快及杂波小，使它广泛地被应用在高频

电路中。近年来亦使用于低电压高电流的电源电路及交流

─直流变换系统中。另外尚

使用于雷达系统。肖特基

TTL 逻辑 IC，通信设备的混波器及检波器，仪表及模拟─数

字

(A/D)变换器中。