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三极管的饱和

三极管的饱和

1.在实际工作中,常用 Ib*β=V/R 作为判断临界饱和的条件。根据 Ib*β=V/R 算出

Ib 值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能

达到真正的饱和

;倍数越大,饱和程度就越深。

2.集电极电阻 越大越容易饱和;

3.饱和区的现象就是:二个 PN 结均正偏,IC 不受 IB 之控制

基极电流达到多少时三极管饱和

?

这个值应该是不固定的,它和电源电压

,集电极负载、β 值,基极电阻,

基极信号大小有关

.

另外一个应该注意的问题就是:在

Ic 增大的时候,hFE 会减小,所以我们应该

让三极管进入深度饱和

Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定 e、c 极短路的情况下的 Ic

极限,当然这是以牺牲关断速度为代价的。

饱和时

Vb>Vc,但 Vb>Vc 不一定饱和

一般判断饱和的直接依据还是防大倍数,有的管子

Vb>Vc 时还能保持相当高的

放大倍数

例如:有的管子将

Ic/Ib<10 定义为饱和

Ic/Ib<1 应该属于深饱和了

用三极管可以考虑以下几天:

1)耐压够不够

2)负载电流够不够大

3)速度够不够快(有时却是要慢速)

4)B 极控制电流够不够

5)有时可能考虑功率问题

6)有时要考虑漏电流问题(能否“完全”截止)。

7)增益