非晶硅薄膜电池
非晶硅(
amorphous silicon α-Si)又称无定形硅。单质硅的一种形态。棕黑色或灰黑色的
微晶体。硅不具有完整的金刚石晶胞,纯度不高。熔点、密度和硬度也明显低于晶体硅。
非晶
硅的化学性质比晶体硅活泼。可由活泼金属
(如钠、钾等) 在加热下还原四卤化硅,或用碳等
还原剂还原二氧化硅制得。结构特征为短程有序而长程无序的
α-硅。纯 α-硅因缺陷密度高而
无法使用。采用辉光放电气相沉积法就得含氢的非晶硅薄膜,氢在其中补偿悬挂链,并进行
掺杂和制作
pn 结。非晶硅在太阳辐射峰附近的光吸收系数比晶体硅大一个数量级。禁带宽度
1.7~1.8eV,而迁移率和少子寿命远比晶体硅低。现已工业应用,主要用于提炼纯硅,制造
太阳电池、薄膜晶体管、复印鼓、光电传感器等。
非晶硅薄膜电池的起源
非晶硅薄膜太阳能电池由
Carlson 和 Wronski 在 20 世纪 70 年代中期开发成功,80 年代
其生产曾达到高潮,约占全球太阳能电池总量的
20%左右,但由于非晶硅太阳能电池转化
效率低于晶体硅太阳能电池,而且非晶硅太阳能电池存在光致衰减效应的缺点:光电转换
效率会在头
1000 个光照时间内逐渐衰减到稳定状态,对薄膜电池的应用存在影响。
非晶硅薄膜电池的优
点
1
低成本
2
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3
能量返回期短
4
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5
大 面积 自动 化生
产
6
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7
高温性能好
8
|
9
短波响应优于晶体硅太阳能电池
单 结非 晶硅 太阳
电 池 的 厚 度
0.2um 。
主要原材料是生产高
纯多晶硅过程中使用
的硅烷,这种气体,
化学工业可大量供应,
且十分便宜。目前晶
体硅太阳电池的基本
厚 度 多 为
200um 以