硅片清洗技术

一、新清洗液的开发使用
1、APM 清洗
（

1） 为抑制 SC-1 时表面 Ra 变大，应降低 NH4OH 组成比，例：

NH4OH：H2O2：H2O = 0.05：1：1
当

Ra = 0.2nm 的硅片清洗后其值不变，在 APM 洗后的 D1W 漂洗应在低温下进行。

（

2）可使用兆声波清洗去除超微粒子，同时可降低清洗液温度，减少金属附着。

（

3） 在 SC-1 液中添加界面活性剂、可使清洗液的表面张力从 6.3dyn/cm 下降到 19 dyn/cm。

选用低表面张力的清洗液，可使颗粒去除率稳定，维持较高的去除效率。
使用

SC-1 液洗，其 Ra 变大，约是清洗前的 2 倍。用低表面张力的清洗液，其 Ra 变化不大

（基本不变）。
（

4）在 SC-1 液中加入 HF，控制其 PH 值，可控制清洗液中金属络合离子的状态，抑制金

属的再附着，也可抑制

Ra 的增大和 COP 的发生。

（

5） 在 SC-1 加入螯合剂，可使洗液中的金属不断形成螯合物，有利抑制金属的表面的附

着。
2、去除有机物： O3 + H2O
3、SC-1 液的改进： SC-1 + 界面活性剂
SC-1 + HF
SC-1 + 螯合剂
4、DHF 的改进： 
DHF + 氧化剂（例 HF+H2O2）
DHF + 阴离子界面活性剂
DHF + 络合剂
DHF + 螯合剂
5、酸系统溶液： 
HNO3 + H2O2、
HNO3 + HF + H2O2、
HF + HCL
6、其它： 电介超纯去离子水
二、

 O3＋H2O 清洗 

1、如硅片表面附着有机物，就不能完全去除表面的自然氧化层和金属杂质，因此清洗时首
先应去除有机物。
2、据报道在用添加 2-10 ppm O3 的超净水清洗，对去除有机物很有效，可在室温进行清洗，
不必进行废液处理，比

SC-1 清洗有很多优点。

三、

 HF ＋ H2O2 清洗

1、 据报道用 HF 0.5 % + H2O2 10 %，在室温下清洗，可防止 DHF 清洗中的 Cu 等贵金属的
附着。