太阳能硅片是如何清洗的

    太阳能硅片经过线切割机的切割加工后，其表面已受到严重沾污，要达到太阳能发电的

工业应用标准，就必须经过严格的清洗工序。由于切割带来的严重污染，其表面的清洗工序

也必然需要比较复杂和精细的工艺流程。

一、硅片污染分类

   具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类：  

     1、有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。 

     2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径 

≥ 0.4 μm 颗

粒，利用兆声波可去除

 

≥ 0.2 μm 颗粒。

     3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污

又可分为两大类：

 （1）、 沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 （2）、带正电的

金属离子得到电子后面附着（尤如

“电镀”）到硅片表面。 

二、硅片表面污染的清洗技术与方法

    硅抛光片的化学清洗目的就在于去除这种沾污，使得硅片达到工业应用的标准。自 1970

年美国

RCA 实验室提出的浸泡式 RCA 化学清洗工艺得到了广泛应用，1978 年 RCA 实验

室又推出兆声清洗工艺，近几年来以

RCA 清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，

比较潮流的清洗技术有

 ：   

    

⑴ 美国 FSI 公司推出离心喷淋式化学清洗技术。

    

⑵ 美国原 CFM 公司推出的 Full-Flow systems 封闭式溢流型清洗技术。

      

⑶  美国 VERTEQ 公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例 Goldfinger 

Mach2 清洗系统）。

    

⑷ 美国 SSEC 公司的双面檫洗技术（例 M3304 DSS 清洗系统）。  

    

⑸ 曰本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净

技术达到了新的水平。

    

⑹ 以 HF / O3 为基础的硅片化学清洗技术。