随着诸如平板电脑和智能手机等便携式设备的迅速增长和不断涌现，要想实施电池管理以达到更高
的电池供电系统性能，变得越来越困难。电池管理系统必须拥有一定的智能，以支持各种适配器类
型和电池化学物质，并提高电池充电效率。与此同时，提供良好的用户体验也越来越重要，例如：
系统快速开机、长电池使用时间和快速充电等。本文将讨论如何利用输入电流和输入电压型动态
§ (DPM) 控制来提高电池充电性能，以防止系统崩溃以及最大化适配器有效功率，并为您说明
延长电池工作时间的一些重要设计考虑因素。
引言
终端用户对于快速充电和高效充电的需求日益增长。锂离子
(Li-Ion)电池是一种理想的选择，因为其
拥有非常高的能量密度。这种电池具有高充电电流，能够很好地适用于
10 英尺平板电脑应用，可用
于
6 Ah 以上的高电池组容量。平板电脑要求具有优异的散热性能和快速开机特性，即使是深度放电
的电池也是如此。这些要求给设计人员带来了诸多设计挑战。首先是，如果最大化电源的有效功率，
以高效、快速地对电池充电同时电源不能崩溃。其次是，如何在系统保持运行的同时，对深度放电的
电池进行充电。最后是如何提高散热性能。
动态电源路径管理
如何最大化有效功率，从而实现快速、高效的电池充电呢？所有电源都有其输出电流或者功率限制。
例如，高速
USB(USB2.0)端口的最大输出电流为 500 mA，而超高速 USB(USB3.0) 端口的最大
输出电流为
900 mA。如果系统功率需求超出电源的有效功率，电源便会崩溃。对电池充电时，我们
如何在最大化功率输出的同时防止电源崩溃呢？我们使用了三种控制方法：输入电流型
DPM、输入
电压型
DPM 和电池补充模式。
图
1 显示了使用 DPM 控制的高效
§。MOSFET Q2 和 Q3 以及电感 L 组成一个同步
开关降压式电池充电器。这种组成方法达到了最高电池充电效率，充分利用适配器功率，从而实现
了最为快速的电池充电。
MOSFET Q1 用作一个电池反向阻塞 MOSFET，目的是防止电池漏电通过
MOSFET Q2 体二极管流至输入。另外，它还用作一个输入电流检测组件，以监控适配器电流。
MOSFET Q4 用于主动监测和控制电池充电电流，以实现 DPM。当输入功率足以同时支持系统负载
和电池充电时，使用
ICHG 理想充电电流值对电池充电。如果系统负载 ISYS 突然增加，并且其总适
配器电流达到电流限制设置
IREF，则输入电流调节环路主动进行调节，并将输入电流维持在预定
义输入基准电流
IREF 电平。通过降低充电电流并优先为系统供电，让其达到最高系统性能，可以实
现这个目标。因此，可以在输入电源不崩溃的情况下，始终最大化输入功率，同时在系统和电池充
电之间动态地共享有效功率。
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