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名称

晶体硅太阳电池

工艺说明

图号

制绒

旧底图总号

1

目的

1.1

去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧化层。

1.2

在单晶硅片表面制备一个反射率在 10%~20%的织构表面。

2

原理

在低浓度 NaOH 水溶液中,硅片表面发生各向异性腐蚀,产生密集的金字塔型角锥体结构。
化学反应方程式:Si+2NaOH+H

2

O=Na

2

SiO

3

+2H

2

↑。

3

操作规程

3.1

装片

3.1.1 戴好防护口罩和干净的 PE 手套。
3.1.2 将仓库领来的硅片从箱子中取出,以 400 片为一个生产批次把硅片装入“硅片盒”

3.1.3 在“工艺流程卡”上准确记录硅片批号、生产厂家、电阻率和投入数。
3.1.4 在“工序产质量报表”上详细记录领料数、实际投入数、产出数,有缺片现象时要在缺片记录上记录

缺片的批号、厂商、箱号和缺片数。

3.1.5 装完一个生产批次后把“工艺流程卡”随同硅片一起放在盒架上,等待制绒。
3.2

开机

3.2.1 开工艺排风;打开压缩空气阀门;打开设备进水总阀。
3.2.2 打开机器电源,待设备自检完成并显示正常后,在手动操作界面下,手动打开槽盖,检查槽盖的灵活

性。检查机械手运行是否正常。

3.2.3 制绒清洗机共有 10 个清洗槽,其中 7、8、9、10 号槽中装满去离子水;1、2、3、4,5,6 号槽中是

化学腐蚀液。检查槽内水位并调节至规定的液位,检查液位开关,检查加热传感器,补液电磁阀,检
查并确保制绒机旁的排废液阀门开通。

3.2.4 按照本文件 3.3 条的规定配制各腐蚀槽的水溶液。
3.2.5 工艺槽温度设定和启动加热

根据本文件 3.4 条的规定设定工艺温度。启动加热器使槽内液体升温。要特别注意:槽内没有水或溶
液不能开加热器,否则会烧坏加热器。每次只能启动 3 个槽同时加热;待恒温后,再启动另外 3 个槽。

3.2.6 加热制绒液体到设定温度以后,根据本班目标生产量在控制菜单上进行参数设置(包括粗抛、碱蚀、

喷淋、鼓泡漂洗时间和产量的设置)

3.2.7 参数设置完毕,在手动状态下按“复位”键,运行模式拨到“自动”状态,按“启动”键,机器进行

复位,待机械手停止运动后即可上料生产。若不立即生产,则暂时拨回“手动”状态。

3.3

配制溶液

3.3.1 浓度

粗抛液:NaOH:H

2

O=11.8%wt。

粗抛液自动补碱箱中 NaOH:H

2

O=15%wt。

制绒液:NaOH:H

2

O=1.76%wt; C

2

H

5

OH:H

2

O=5.0%vol; Na

2

SiO

3

:H

2

O=1.26%wt。

3.3.2 配液过程

粗抛液:清洗好粗抛槽,关闭排水阀门,打开进水阀门向槽中缓慢放水,同时向槽中倒入 NaOH 粉末,

控制速度,在槽中约放入 2/3 槽水的同时加入 10kg NaOH,关闭槽盖,在控制面板上打开加热开
关对槽中液体开始加热。待温度升至 70℃时,打开槽盖,再向槽中倒入 10kg NaOH 粉末并注水,
同时用水瓢对溶液进行搅拌,以使 NaOH 充分溶解,液面升至溢水口下方 2cm 处时停止注水。

制绒液:按照 3.3.1 条的浓度计算出 170L 制绒液所含有的 NaOH、Na

2

SiO

3

和无水乙醇的量,清洗好制

绒槽,关闭排水阀门,打开进水阀门向槽中缓慢放水,同时向槽中倒入 NaOH、Na

2

SiO

3

和无水乙醇,

过程中用水瓢不断搅拌溶液,待加完 NaOH、Na

2

SiO

3

和无水乙醇后,放水调整液面至溢水口下方

底图总号

日期

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数量

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