切片工艺过程

多晶：铸锭

——

——

——

检测

开方

清洗（清洗切割

液）

——

——

——

——

——

——

磨面

倒角

切片

清洗

检测

分选

     1 开方

1 硅锭切割成硅块 

2

视硅片硅锭的规格而定开方为：

G

3(

3*3)

,

G

4

(4*4)

,

G

5

(5*5)

,

G

6

(6*6)

3 开方的方法有：外圆切割、多线切割（常用）

2 磨面

目的：去除线痕，切割损伤层，改善表面平坦度、平行度。

    3 倒角  

将硅块倒角

1~2mm

目的：防止切割时硅片边缘破裂、崩边及晶格缺陷产生。

4 切片：

钢线带砂（

s

i

c

切割）。切割前的准备：布线、粘胶、配切割液。

一、布线：线弓过大，易断线且有线痕产生。线弓过小，易断线且降低切割

能力。

二、粘胶：粘胶顺序：托板、玻璃、硅块、

PVC 条

① 托板（金属）无变形、裂痕；玻璃：两面磨砂；PVC 条：无金属粉末。
② 粘胶的配置：A 胶和 B 胶充分搅拌至颜色均匀。
③ 粘胶面的选取：以最短面为粘胶面，避免切割时产生跳线。
三、切割液的配置

切割液为

s

i

c

的悬浮液（切割液、

s

i

c

）

1

s

i

c

的选取：开方用的

s

i

c

颗粒为

17~19um，切片用的

s

i

c

颗粒为：

11~13um。

2

s

i

c

的烘烤：烘烤

s

i

c

中的水分（避免降低切割液的悬浮能力）；将

s

i

c

的结块烤散

(减小线很)。

3

s

i

c

的倒入：将

s

i

c

缓缓倒入切割液中，不少于

1 分钟，并不停的搅拌，

搅拌不低于

12 小时。

4

检测其密度：每

2 小时检测一次，直到达到配置要求。如密度过大加切

割液，如密度过小加

s

i

c

颗粒