电子工程师必备基础知识手册

(五)：半导体器件

半导体器件

 

一、 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、

PIN 型管、激光器

件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：

A-N 型锗材

料、

B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时：A-PNP 型锗材料、

B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、

C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低
频小功率管

(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管

（

f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流

器）、
Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复
合管、

PIN-PIN 型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：

3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管

二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的
符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上

述器件的组合管、

1-二极管、2 三极或具有两个 pn 结的其他器件、3-具有四个有效电

极或具有三个

pn 

┄┄

结的其他器件、

依此类推。

第二部分：日本电子工业协会

JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会 JEIA 注

 
 
册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP 型高频管、B-PNP 型低频管、

C-NPN 型高频管、D-NPN 型低频管、F-P 控制极可控硅、G-N 控制极可控硅、H-N 基极
单结晶体管、

J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分：用数字表示在日本电子工业协会

JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从

“11”开始，表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器
件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。

 

第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。

A、B、C、D、E、F 表示这一器件

是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名
方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。

JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、

JANS-宇航级、（无）-非军用品。