单晶硅太阳能电池背抛光技术研究

 

摘要：本文介绍了对单晶硅电池背抛光工艺作用和条件的研究。通过对不同化学溶液、不同
温度和不同腐蚀时间条件对硅片表面反射率和电池电学性能的影响，证实了背抛光在增加
背面反射、提高电池与铝背场接触效果和加强背表面钝化方面的积极作用，并对背抛光工艺
存在的问题和在新型电池开发中的应用进行了展望。

　　关键词：

 单晶硅;太阳能电池;背抛光

　　

0 引言

　　太阳能发电作为二十一世纪经济发展中最具决定性影响的五个技术领域之一的新能源
和可再生能源中的一种，由于其具有环保、高效、节能以及取之不尽、用之不竭等特点，已成
为新能源中最受瞩目的能源。因此，着力加强对太阳能电池等光伏产业的研究开发，不断提
高光电转换效率成为企业在今后激烈的市场竞争中取胜、不断推动光伏产业技术进步和更大
规模推广应用的关键，晶体硅太阳能电池是目前光伏业的主流，为了提高企业在市场中竞
争力，提高晶体硅太阳电池转换效率迫在眉睫。

　　常规单晶硅太阳能电池由于陷光的需要，在表面采用化学方法织构绒面，增加了表面
积，通过对光的对此反射

/吸收降低反射率。但绒面的存在同时也产生了负面影响，绒面深

凹的位置在与金属产生接触不良的现象。因此大家考虑对硅片背表面进行抛光，使硅片背表
面更加光滑甚至达到镜面效果，背抛光后硅片的背面平整，一方面可以加强对透射光的反
射减小透光率，另一方面可以使铝浆与硅片表面接触更加充分提高钝化效果。

　　通过背表面抛光分别使电流密度

Jsc 和开路电压 Uoc 得到了提升，从而可以提高太阳

能电池的转换效率，本文就是通过试验手段对此进行了验证。

　　

1 太阳能电池及工艺流程

　　晶体硅太阳电池的基本结构如图

1 所示，基体材料为 p 型晶体硅，厚度在 200μm 左右；

上表面为一层

n+型的扩散区，与基体共同构成光生伏特效应的基本结构--pn 结；

　 　 整 个 上 表 面 均