高性能和高密度大电流

POL 设计解决方

案

　　所有的电子产品都像我们这个世界一样正在不断缩小。随着电路功能和集成度的提高，
PCB 板的空间变得弥足珍贵。主要的板空间要分配给应用的内核功能，这些应用包括微处
理器、

FPGA、ASIC 以及与其相关的高速 数据通道和支持元件。虽然设计者并不想这样做，

但是电源却必须压缩到剩下的有限空间之内。功能和密度的增加，耗电也相应增加。这就为
电源设计者带来了一个很大的挑战，即如何以更小的占位提供更高的电源？
　　答案说起来非常简单：
提高效率并同时提高开关频
率。而实际上，这却是一个
很难解决的问题，因为更高
的效率和更高开关频率是互
相排斥的。尽管如此，

IR 公

司

IR3847 大电流负载点

（

POL ）集成稳压器的设

计者还是开发出来了采用集
成型

MOSFET 的 DC-DC 降

压转换器，该转换器可以在
一个紧凑的

5×6 mm 封装中

（如图

1），将 IR 第三代

SupIRBuck 系列的额定电流
扩展到

25A.　　

　　图

1: IR3847 5x6 mm 

QFN 封装

　　这一解决方案拉动了三个领域的共同创新：

IC 封装、IC 开关稳压器电路设计和高效

MOSFET.由于最新的热增强型封装采用铜片，控制器中的创新是针对大于 1MHz 开关频率
的控制器和

IR 的最新一代，即 12.5 代 MOSFET ,IR3847 可以在无散热器的情况下，在 25A

的电流下运行，与采用控制器和功率

MOSFET 的分立式解决方案相比，又将 PCB 的尺寸

缩减了

70%.利用 IR3847（图 2），在一个小至 168mm2 的面积内，现在可以实现完整的

25A 电源解决方案。