范围内进行 PECVD 沉积。尽管事实上寄生分流不会发生在氢化非晶硅钝化太阳能

电池上，但是新的问题是热处理过程中氢化非晶硅钝化的高强度。

最近，由载流子寿命测试[11,12]结果表明由原子层沉积（ALD）生长的氧化

铝（Al2O3）薄层在 p 型或 n 型硅表面提供了钝化良好的表面态。在低电阻率 P

型硅上已经证明了利用低温等离子的 ALD 其 SRVs<13cm/s[12]。氧化铝层中的固

定负电荷密度导致 P 型 c-Si 表面存在一个累积层，这个累积层在电池片背面可

以提供一个有效的场效应钝化。对于相邻能带隙的光子，由于其较高的透明度，

所以在 c-Si 电池片背面 ALD 沉积氧化铝是最理想的选择。本文中，我们提出氧

化铝背钝化的 PERC 太阳能电池的第一个结果，证明了原子层沉积的氧化铝对未

来高效晶体硅太阳能电池的巨大优势。

2 太阳能电池流程

图 1 表示的是 PERC 太阳能电池结构，利用这项研究证明氧化铝背钝化对高

效太阳能电池的适用性。图 2 表示的是 PERC 太阳能电池制作流程图，衬底我们

使用的是（100）单晶硅硅片，厚度为 310μm，电阻率为 0-5Ω.cm；用 KOH 腐蚀

硅片表面，得到绒面结构；再用 POCl3 源扩散得到方阻为 100Ω/□的 n+发射极；

经过湿刻，用 HF 将磷硅玻璃除掉；湿刻后，在 1000℃的氧化过程中硅片表面生

长了一层二氧化硅；最后，我们将电池片将分为 3 类，每一类接受不同的背钝化：

（1）第一类热生长 SiO2，（2）第二类生长 130nm 的氧化铝膜，（3）第三类用

30nm 的氧化铝膜钝化，再用 PECVD 镀上一层 200nm 的 SiOx 膜。

图 1 PERC 电池结构