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3.4 种晶
当多晶硅料完全熔化并安定后，将籽晶下降到距离熔硅 3-5mm 处烘烤两三分钟，使籽晶温度接近熔硅温

度，减少对籽晶的热冲击，再下降与熔硅接触。

通过观察坩埚边液面的起伏情况，可以判断熔体温度的高低。若籽晶周围不能形成一个稳定的光圈，则此

温度不适合引晶。合适的引晶温度是籽晶和熔硅接触后，籽晶周围逐渐出现稳定的光圈，最后光圈变圆。光圈
内可以看到四个分散在四周并对称的小白点。

温度合适后，提拉籽晶，开始缓慢提拉。
3.5 引晶（缩颈）
种晶完后，籽晶应快速向上提升，使晶体的生长速度加快，新结晶的单晶直径比籽晶的小。籽晶直径一般

为 5mm，引晶后的为 3mm 左右。同时缩颈后长度应为其直径的 6--10 倍。由于拉出的单晶很重，缩颈时单晶的
直径不能太细，否则引晶部分容易提断。

缩颈是为了排除引出单晶中的位错。下种时，由于籽晶和熔硅温差大，高温的熔硅对籽晶造成强烈的热冲

“

”

击，籽晶头部产生大量位错，通过缩颈，使晶体在生长中将位错 缩掉 ，成为无位错单晶。

3.6 放肩
细颈达到规定长度后，如果晶棱不断，立刻降温，降拉速，使细颈逐渐长大到规定的直径，此过程称为

放肩。

此时晶体硅的生长速度大大放慢，晶体硅的直径急速增大，从籽晶直径增大到所需的长度（ 208mm 左

右），形成一个近 180°的夹角。

3.7 转肩
当放肩达到所需晶体直径时，突然提高拉晶速度进行转肩，使肩近似直角，进入等直径生长。
3.8 等径
等径生长是整个拉晶时间最长的，对于操作来说却比较轻松。当放肩后，晶体生长加快，并保持稳定的速

度生长，使晶体保持稳定的直径生长。在等径期间要注意观察外形上的四条棱线是否出现断线。若出现断线，
则根据已拉出的晶棒长度确定是回熔重新引晶，还是直接拉断再拉下一根。一般规定长度大于 700mm 则可以
不必回熔。

一般说来，单晶等直径生长过程是缓慢降温过程，在单晶等直径生长过程中，为了减少降温幅度或不降

温，逐步降低拉速，连续升高坩埚，可达到目的。坩埚升高快慢和拉晶速度降低的多少主要影响加热功率的

          

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