切断用主要进口材料：刀片

　　外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径

 

滚磨可以获得较为精确的直径。

 

　　外径滚磨的设备：磨床

 

　　平边或Ｖ型槽处理：指方位及指定加工，用以单晶硅棒上的特定结晶方向平边或Ｖ型。

 

　　处理的设备：磨床及Ｘ－ＲＡＹ绕射仪。

 

　　切片：指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。

 

　　切片的设备：内园切割机或线切割机

　　倒角：指将切割成的晶片税利边修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻

 

层的平坦度。

 

　　倒角的主要设备：倒角机

　　研磨：指通过研磨能除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平

 

行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。

 

　　研磨的设备：研磨机（双面研磨）

 

　　主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。

 

　　腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。

　　腐蚀的方式：（Ａ）酸性腐蚀，是最普遍被采用的。酸性腐蚀液由硝酸（ＨＮＯ 3），氢氟酸（ＨＦ），

及一些缓冲酸（ＣＨ 3 ＣＯＣＨ，Ｈ 3 ＰＯ 4

 

）组成。

 

　　（Ｂ）碱性腐蚀，碱性腐蚀液由ＫＯＨ或ＮａＯＨ加纯水组成。

 

　　抛光：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。

 

　　抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。

 

　　抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在１０－２０ｕｍ；

 

　　精抛：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量１ｕｍ以下

　　主要原料：抛光液由具有ＳｉＯ 2 的微细悬硅酸胶及ＮａＯＨ（或ＫＯＨ或ＮＨ 4 ＯＨ）组成，分为粗

 

抛浆和精抛浆。

　　清洗：在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，这里的清洗主要是抛光后的最终清洗。清洗的目

 

的在于清除晶片表面所有的污染源。

 

　　清洗的方式：主要是传统的ＲＣＡ湿式化学洗净技术。

　　主要原料：Ｈ 2 ＳＯ 4，Ｈ 2 Ｏ 2，ＨＦ，ＮＨ 4

 

ＯＨ，ＨＣＬ

 

　　（３）损耗产生的原因

          

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