5.  散热设计 
取决於 IGBT 模块所允许的最高结温（Tj），在该温度下，必须要做散热设计。为了进行散热

设计，首先要计算出器件产生的损耗，该损耗使结温升至允许值以下来选择散热片。当散热设
计不充分场合，实际运行在中等水平时，也有可能超过器件允许温度而导致器件损坏。 

6.  驱动电路设计严格地说，能否充分利用器件的性能，关键取决於驱动电路的设计。此外，

也与保护电路设计密切相关。 

要使器件处於开通状态时，驱动电路应为正向偏置，关断状态时，应为反向偏置，根据各

自的设定条件，可以改变器件的特性。此处由於驱动电路的接线方法不同，器件有可能产生误
动作。 

7.  并联问题 
用於大容量逆变器等控制大电流场合使用 IGBT 模块时，可以使用多个器件并联。并联时，

要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果一旦电流平衡达到破坏，那麽电过於集中的
那个器件将可能被损坏。 

为使并联时电流能平衡，适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件 
的 VCE(sat)相同的并联是很重要的。 
8.  另装时的注意事项在实际安装 IGBT 模块时，请特别注意如下几点： 
1.  安装散热片时，在模块里面涂以热复合材料，并充分固定牢。另外·冷却体原件安装表

面的加工方面，要保此粗糙度在 10mm 以下，平面度在 0-100mm 以内。 

2.  在模块电极端子部份，接线时请勿加过大的应力。 
9.  保管及运输时的注意事项 
1.  保管 
a.  保存半导体原件的场所的温度，温度，应保持在常温常湿状态，不应偏离太大。常温的

规定为 5－35“C，常湿的规定为 45—75％左右。特别是模块化的功率半导体管的场合，在冬天
特别干燥的地区，需用加湿机加湿。 

b.  尽量远离产生腐蚀性气体或灰尘较多的场合。 
c.  在温度发生急剧变化的场所装置表面含有结露水的情况出现，应避开这种场所，尽量放

在温度变化小的地方。 

d.  保管时，须注意不要在半导体器件上加重荷，特别是在堆放状态，需注意负荷不能太重，

其上也不能加重物。 

e.  外部端子，请在未加工的状态下保管。若有锈蚀，在焊接时会有不良的情况产生，所以

要尽可能地避免这种情况。 

f.  装部件的容器，请选用不带静电的容器。 
2.  搬运 
a.  请不要受下堕冲击。 
b.  用包装箱运输大量器件时，请勿擦伤接触电极面，部件间应填充软性材料。 
10.  其他，实际使用时的注意事项 
1.  使用 FWD  而未使用照 IGBT  时（例如截波电路等）

，在未使用 IGBT  的 G-E  间，请加上-5V

以上的逆向偏置电压。 

2.  在模块端子处测定驱动电压是否为符合要求的电压值。（在驱动电路中使用晶体管时的

电压降变大，这将导致在模块上加不上所需要的 VGE 电压）。 

3.  开、关时的浪涌电压等的测定，请在端子处测定。 
4.  尽量远离有腐蚀性气体的场所。liuwei  在 2004-6-25  14:30:54  说道:型号-通力 MINI3000

电梯/地点-大连/故障-298 开关在送上后 2-3 秒跳闸处理过程（将 385A1/A2 拆下）： 

1、确定 298 是好的 2、确定充电电阻是好的 3、确定三项桥是好的 4、IGBT 是好的 5、电容

是好的 6、只令桥后带一个 IGBT，298 还是在跳 7、目前只能换件看看（还没修好）请教高手。