DT98-2 

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2.  影响自举电源的因素 

 
有五种以下因素影响对 V

ds

电源的要求： 

a) MGT 栅极电荷要求。 
b) I

qbs

 ：高端驱动电路静态电流。 

c) 驱动 IC 中电平转换电路的电流。 
d) MGT 栅极源漏电流。 
e) 自举电容漏电流。 

第 e)个因素只有当自举电容是电解电容时才考虑，其它类型电容可以忽略，因
此建议使用非电解类电容。 
 
 

3.  计算自举电容值 

       
      下列公式列出了自举电容应该提供的最小电荷要求： 

      

f

I

Q

f

I

Q

Q

leak

cbs

ls

qbs

g

bs

)

(

(max)

2

+

+

+

=

           (1) 

其中：Q

g

：高端器件栅极电荷 

 f： 工作频率 
I

cbs(leak)

：自举电容漏电流 

Q

ls

：每个周期内，电平转换电路中的电荷要求 

500V/600V  IC 为 5nc 
1200V  IC 为 20nc 

 
            
        自举电容必须能够提供这些电荷，并且保持其电压。否则 V

bs

将会有很大

的电压纹波，并且可能会低于欠压值 V

bsuv

，使高端无输出并停止工作。因此

C

bs

电容的电荷应是最小值的二倍，最小电容值可以由下式计算： 

 

Ls

f

cc

leak

cbs

ls

qbs

g

V

V

V

f

I

Q

f

I

Q

C

−

−

+

+

+

≥

)

(

(max)

2

[

2

 

 
         其中,  V

f

 ：自举二极管正向压降 

V

LS

：低端器件压降或高端负载压降 

 

         注意事项： 

 
由式（2）计算的 C

bs

电容值是最小的要求，由于自举电路的固有工作原

理，低容值可能引起过充电，从而导致 IC 损坏。为了避免过充电和进一步减小
V

bs

纹波，由式（2）计算的容值应乘一个系数 15。