以了。

PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况(高

端驱动

)。但是，虽然 PMOS 可以很方便地

用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动

中，通常还是使用

NMOS。

3，MOS 开关管损失

不管是

NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电

阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通

损耗。选择导通电阻小的

MOS 管会减小导通损耗。现在的小功率 MOS 管导通电

阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个下

降的过程，流过的电流有一个上升的过

程，在这段时间内，

MOS 管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常

开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越

高，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减

小每次导通时的损失

;降低开关频

率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4，MOS 管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使

MOS 管导通不需要电流，只要 GS 电压高于

一定的值，就可以了。这个很容易做到，但

是，我们还需要速度。

在

MOS 管的结构中可以看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的驱

动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充

电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会

比较大。选择

/设计 MOS 管驱动时第一要注意

的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的

NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极

电压。而高端驱动的

MOS 管导通时源极电压

与漏极电压

(VCC)相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大 4V 或 10V。如果在同一

个系统里，要得到比

VCC 大的电压，就要专门

的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外

接电容，以得到足够的短路电流去驱动

MOS

管。