通状态，它所呈现的电阻为正向电阻，正向电压越大，电流也越大。它的关系是指数
关系：

其中：

ID 为流过 PN 结的电流，U 为 PN 结两端的电压，

UT=kT/q 称为温度电压当量，其中，k 为波尔兹曼常数，T 为绝对温度，q 为电

子电量，在室温下

(300K)时 UT=26mv，IS 为反向饱和电流。

2. PN 结外加反向电压

它的接法与正向相反，即

P 区接电源的负极，N 区接电源的正极。此时的外加电

压形成电场的方向与自建场的方向相同，从而使阻挡层变宽，漂移作用大于扩散作
用，少数载流子在电场的作用下，形成漂移电流，它的方向与正向电压的方向相反，
所以又称为反向电流。因反向电流是少数载流子形成，故反向电流很小，即使反向电
压再增加，少数载流子也不会增加，反向电压也不会增加，因此它又被称为反向饱
和电流。即：

ID=-IS

此时，

PN 结处于截止状态，呈现的电阻为反向电阻，而且阻值很高。

由以上我们可以看出：

PN 结在正向电压作用下，处于导通状态，在反向电压的

作用下，处于截止状态，因此

PN 结具有单向导电性。它的电流和电压的关系通式为：

 它被称为伏安特性方程，如图(3)所示为伏安特性曲线。

 

 

 

 

3. PN 结的击穿

PN 结处于反向偏置时，

在一定的电压范围内，流过
PN 结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称
为反向击穿。

击穿形式分为两种：雪崩击穿和齐纳击穿。

对于硅材料的

PN 结来说，击穿电压〉7v 时为雪崩击穿，<4v 时为齐纳击穿。在

4v 与 7v 之间，两种击穿都有。由于击穿破坏了 PN 结的单向导电性，因此一般使用
时要避免。

需要指出的是，发生击穿并不意味着

PN 结烧坏。

4. PN 结的电容效应