2. 载流子在基区中扩散与复合的过程

由发射区注入基区的电子载流子，其浓度从发射结边缘到集电结边缘是逐渐递

减的，即形成了一定的浓度梯度，因而，电子便不断地向集电结方向扩散。由于基区
宽度制作得很小，且掺杂浓度也很低，从而大大地减小了复合的机会，使注入基区
的

95%以上的电子载流子都能到达集电结。故基区中是以扩散电流为主的，且扩散与

复合的比例决定了三极管的电流放大能力。

3.集电区收集载流子的过程

集电结外加较大的反向电压，使结内电场很强，基区中扩散到集电结边缘的电

子，受强电场的作用，迅速漂移越过集电结而进入集电区，形成集电极电流

Inc。另

一方面，集电结两边的少数载流子，也要经过集电结漂移，在

c，b 之间形成所谓反

向饱和电流

ICBO，不过，ICBO 一般很小，因而集电极电流

INC +ICBO ≈ INC　　　　　　　　　　 GS0105

同时基极电流

IB = IPB +IE -ICBO≈IPB - ICBO 　　　GS0106

反向饱和电流

ICBO 与发射区无关，对放大作用无贡献，但它是温度的函数，

是管子工作不稳定的主要因素。制造时，总是尽量设法减小它。

三、三极管的电流分配关系与放大作用

1.电流分配关系