生产制造工艺流程：

SnO2 导电玻璃-SnO2 膜切割-清洗-预热-a-Si 沉积（PIN）-冷却-a-Si 切割-掩膜镀铝-测试 1-
老化

-测试 2-UV 保护层-封装-成品测试-分类包装

下图是以美国

EPV 公司技术为代表的内联式双结非晶硅电池内部结构示意图：

图

2、内联式双结非晶硅电池内部结构示意图

它的生产制造工艺流程为：
SnO2 导电玻璃-SnO2 膜切割-清洗-预热-a-Si 沉积（PIN/PIN）-冷却-a-Si 切割-溅射镀铝-Al
切割

-测试 1-老化-测试 2-封装-成品测试-分类包装

2、         内联式非晶硅电池生产工艺过程介绍：
⑴SnO2 透明导电玻璃（或 AZO 透明导电玻璃）
规格尺寸：

305 mm×915 mm×3 mm、635 mm×1245 mm×3 等

•要求：方块电阻：6～8Ω/□、8～10Ω/□、10～12Ω/□、12～14Ω/□、14～16Ω/□等透过率：
≥80％膜牢固、平整，玻璃 4 个角、8 个棱磨光（目的是减少玻璃应力以及防止操作人员受
伤）

⑵ 红激光刻划 SnO2 膜
根据生产线预定的线距，用红激光（波长

1064nm）将 SnO2 导电膜刻划成相互独立的部分，

目的是将整板分为若干块，作为若干个单体电池的电极。
•激光刻划时 SnO2 导电膜朝上（也可朝下）
•线距：单结电池一般是 10mm 或 5mm，双结电池一般 20mm
•刻线要求：
绝缘电阻

≥2MΩ

线宽（光斑直经）＜

100um

线速＞

500mm/S

⑶ 清洗
将刻划好的

SnO2 导电玻璃进行自动清洗，确保 SnO2 导电膜的洁净。

⑷ 装基片
将清洗洁净的

SnO2 透明导电玻璃装入

“沉积夹具”

基片数量：对于美国

Chronar 公司技术，每个沉积夹具装 4 片 305 mm×915 mm×3 mm 的基

片，每批次（炉）产出

6×4＝24 片

对于美国

EPV 技术，每个沉积夹具装 48 片 635 mm×1245 mm×3 mm 的基片，即每批次

（炉）产出

1×48＝48 片

⑸ 基片预热
将

SnO2 导电玻璃装入夹具后推入烘炉进行预热。

⑹a-Si 沉积
基本预热后将其转移入

PECVD 沉积炉，进行 PIN（或 PIN/PIN）沉积。

•根据生产工艺要求控制：沉积炉真空度，沉积温度，各种工作气体流量，沉积压力，沉
积时间，射频电源放电功率等工艺参数，确保非晶硅薄膜沉积质量。
沉积

P、I、N 层的工作气体 P 层：硅烷（SiH4）、硼烷（B2H6）、甲烷（CH4）、高纯氩