基体。也许以上的设想是异想天开，根本不可能实现，但在这里仅当作抛砖引玉，希

 

望业内人士批评斧正 ！

：用于薄膜晶体管、太阳能电池等器件应用的多晶硅纯度要求很高（一般

6 个九），衬底纯

度自然要求也很高，除非工艺温度很低。高温下，就需要石英衬底，太昂贵。氢气还原

SiO2

得到多晶硅的温度肯定很高，温度低，不可能还原，就算还原，也不是多晶硅，而是非晶
硅薄膜。

3、提高非晶硅电池效率的方法之我见、你见

经过汇总多个 资料，自我总结了一下提升 非晶硅电池 效率的方法，其中也有一 些我
个人的设想，分享如下：
        首先我们确定一个 思路：先分析并列举光 子经过 非晶硅电池 时主要损失，然
后就各点得出相应的对策以避免或减少损失。
1.欠能和过能损失：
         即能量低于带隙的光子和能量高出带隙的光子。在晶硅电池里，仅这两项损失

——

就 损失掉百分 之六十几 的光照 能量

相当 可 观的数 字；在非晶硅电池里，这个数

字应该略有不同，但相信差不了多少，道理是一样的。所以个人认为，把提升效率的
主要注意力放在这里，在这两项中寻找突破，那将是跳跃式的进步。
2.串联电阻分压损失和并联电阻分流损失，而串联电阻主要是包括电极在内的各区
体 电 阻和 各 个 交界 面的接触 电 阻

--此电阻当然越小越好；并联电阻分流则主要是电

池表面的漏电流和

PN 结区存在杂质和缺陷引起的漏电流，也可以简单的说是前、背

 

表面复合和结区复合中心复合损失。 这一项损失也占有比较大的比重。
3.反射损失
4.光生载流子还未来得及被 PN 结分离便复合掉了
5.暗电流分流损失。

对策及解决方法：
对于

1.目前最常用的是多层结构，不同带隙的材料按照从大到小的顺序自上而下依

 

次排列，高能光子被相应的宽带隙层吸收，低能光子被相应的窄带隙层吸收。 由此
拓宽了光谱响 应的范围 ，理想的 情况是，在整个从紫外到红外光谱区域上都能得到
有效的吸收。另外在这点上，本人有个设想：

PIN 结构中，P、N

“

”

两层是做为 死层

而存 在的，主 要起提供 电场的作用，而他 们区域内的载流子对光电流 几乎不起 作用

“

”

那么 我们能不能让他们 变成 活层 ，也对光 电流起贡献，比如

P、N 两层都用微晶

硅或者纳米硅。
对于

2. 这里涉及到多个方面：

      首先降低各区包括电子在内的体电阻，主要是半导体层的电阻，那么就要求 电
阻率 尽量小，根据半导 体物理学 ，室温下，增加掺 杂浓度（或者同掺 杂下尽量 降低

“

”

工作温度）可以减小电阻率。（但掺杂过高会引起过掺杂效应，所以要 适当 ）
      其次为减少界面处的接触电阻，需要尽可能的减少晶格失配等问题，比如有公
司用的

a-SiC:H 做窗口层，它和下面 I 层的 a-Si:H 就存在着一定的晶格失配。可以

考虑用氢化纳米非晶硅做窗口层，用微晶硅或者纳米硅做

P 和 N 层。

      再次，尽可能的减少表面复合和结区复合，一般的方法是 H 表面钝化和 H 对内
部悬挂键的饱和，以及进可能的减少

O、N 等杂质以减少复合中心。在这点上，我个