薄膜的形成过程可分为四个主要阶段

a)

岛状阶段

   在透射电子显微镜观察过的薄膜形成过程照片中
，能观测到最小核的尺寸约为

2 ～ 3nm

左右。在

核进一步长大变成小岛过程中，平行于基体表面方
向的生长速度大于垂直方向的生长速度。这是因为

核的长大

主要是

由于基体表面上吸附原子的扩散迁

移碰撞结合

，

而不是入射蒸发气相原子碰撞结合决

定的

。

例如，以

MoS

2

为基片，在

400

℃ 下成膜时， Ag

或

Au 膜的起始核密度约为 5×10

14

m

-2

，最小扩散距

离约为

50nm 。

这些不断捕获吸附原子生长的核，逐渐从球帽形、
圆形变成多面体小岛。