制。一般生产厂家给出的漏极额定电流是器件外壳温度

Tc＝25

℃时的值，所以在选择器件

时要考虑充分的裕度，防止在器件温度升高时漏极额定电流降低而损坏器件。
　　

③ 通态电阻 RDS（ON）：它是功率 MOSFET 导通时漏源电压与漏极电流的比率，它

直接决定漏极电流。当功率

MOSFET 导通时，漏极电流流过通态电阻产生耗散功率，通态

电阻值愈大，耗散功率愈大，越容易损坏器件。另外，通态电阻与栅极驱动电压

UGS 有关，

UGS 愈高，RDS（ON）愈小，而且栅源电压过低，抗干扰能力差，容易误关断；但过高
的栅极电压会延缓开通和关断的充放电时间，即影响器件的开关特性。所以综合考虑，一般
取

UGS ＝12－15V 为宜。

　　手册中给出的

RDS（ON）是指器件温度为 25

℃时的数值，实际上器件温度每升高

℃，RDS（ON）将增大 0.7%，为正温度系数。

④ 最大耗散功率 PD （W）：是器件所能承受的最大发热功率（器件温度为 25℃时）。

⑤ 热阻 RΘjc （℃/W）：是结温和外壳温度差值相对于漏极电流所产生的热功率的比

率。其中：

θ－表示温度，J－表示结温，C－表示外壳。

⑥ 输入电容（包括栅漏极间电容 CGD 和栅源极间电容 CGS）：在驱动 MOSFET 中输

入电容是一个非常重要的参数，必须通过对其充放电才能开关

MOSFET，所以驱动电路的

输出阻抗将严重影响

MOSFET 的开关速度。输出阻抗愈小，驱动电路对输入电容的充放电

速度就越快，开关速度也就越快。温度对输入电容几乎没有影响，所以温度对器件开关速度
影响很小。栅漏极间电容

CGD 是跨接在输出和输入回路之间，所以称为米勒电容。

⑦ 栅极驱动电压 UGS ：如果栅源电压超过 20v，即使电流被限于很小值，栅源之间的

硅氧化层仍很容易被击穿，这是器件损坏的最常见原因之一，因此，应该注意使栅源电压
不得超过额定值。还应始终记住，即使所加栅极电压保持低于栅－源间最大额定电压，栅极
连续的寄生电感和栅极电容耦合也会产生使氧化层损坏的振荡电压。通过栅漏自身电容，还
可把漏极电路瞬变造成的过电压耦合过来。鉴于上述原因，应在栅－源间跨接一个齐纳稳压
二极管，以对栅极电压提供可靠的嵌位。通常还采用一个小电阻或铁氧体来抑制不希望的振
荡。
　　

⑧ MOSFET 的截止，不需要象双极晶体管那样，对驱动电路进行精心设计（如在栅极

加负压）。因为

MOSFET 是多数载流子半导体器件，只要把加在栅极－源极之间的电压一

撤消（即降到

0v），它马上就会截止。（见参（2） P70）

⑨ 在工艺设计中，应尽量减小与 MOSFET 各管脚连线的长度，特别是栅极连线的长度。

如果实在无法减小其长度，可以用铁氧体小磁环或一个小电阻和

MOSFET 的栅极串接起来，

这两个元件尽量靠近

MOSFET 的栅极。最好在栅极和源极之间再接一个 10K 的电阻，以防

栅极回路不慎断开而烧毁

MOSFET。

　　功率

MOSFET 内含一个与沟道平行的反向二极管，又称

“体二极管”。？

　　注意：这个二极管的反向恢复时间长达几

us 到几十 us，其高频开关特性远不如功率

MOSFET 本身，使之在高频下的某些场合成了累赘。
　　⑶

IGBT（Isolated Gate Bipolar Transistor）绝缘门极双极型晶体管：

　　通态电阻

RDS（ON）大是 MOSFET 的一大缺点，如在其漂移区中注入少子，引入大

注入效应，产生电导调制，使其特征阻抗大幅度下降，这就是

IGBT。在同等耐压条件下，

IGBT 的导通电阻只有 MOSFET 的 1/10--1/30，，电流密度提高了 10－20 倍。但是引入了少
子效应，形成两种载流子同时运行，使工作频率下降了许多。

IGBT 是 MOSFET 和 GTR 双

极性晶体管的折衷器件，结构上和

MOSFET 很相似，但其工作原理更接近 GTR，所以

IGBT 相当一个 N 沟道 MOSFET 驱动的 PNP 晶体管。特点：它将 MOSFET 和 GTR 的优点集
于一身，既具有

MOSFET 输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又有

GTR 通态电压低、耐压高的优点。