造成周波变换器的

Q3、Q4 电压应力有两方面的原因：1. 高频逆变器工作时，副边绕组

漏感与

Q3、Q4 的寄生电容谐振，产生电压尖峰；2. 在能量从副边回馈到原边时，周波变换

器高频工作，副边绕组漏感电流引起漏源电压尖峰。

　　下面仍以输出正弦波正半周为例，分析高频逆变器工作时

Q4 的谐振电压尖峰。在 Q1

开通前，此时

Q4 关断，其漏源两端电压为输出电压，在 Q1 开通时，电源电压加在变压器

原边绕组，极性上正下负，变压器副边绕组电压极性下正上负，此时加在绕组上的电压为
输出电压加副边绕组电压，

Q4 寄生电容的电压不能突变，电容 C1 通过 Q1、Tr 对 Q4 的寄

生 电 容

Cds4 充 电 ， 由 于 变 压 器 中 漏 感 的 存 在 ， 因 而 这 是 一 个 谐 振 充 电 过 程 。 当

uds4=u0+(1/2)UIN´N ， 漏 感 中 的 电 流 最 大 ； 当 漏 感 电 流 为 零 ，
uds4=u0+UIN´N，谐振频率 fLC=1/(2p 

)，其中 u0 为输出电压瞬时值，UIN 为输入直流电压，LK 为变压器副边绕组漏感，N 为变
压器匝比，

Cds4 为 Q4 的漏源结电容。

　　当能量从负载向电源回馈时，

Q3、Q4 高频开关，在其关断时存储在副边漏感的能量无

泻放回路，将对

MOS 管 Q3、Q4 的漏源寄生电容充电，产生上千伏的电压，因而必须在周

波变换器

MOS 管两端加漏感吸收电路。

　　

3）两种吸收电路比较

　　

A．RC 吸收电路（见图 3）

将

RC 串联吸收电路加在 MOS 管漏源两端，当高频逆变器 Q1、Q2 开通时，RC 吸收电路参

与谐振过程并在电阻上消耗谐振能量，起到减小尖峰电压的作用，但同时也增加了吸收电
路的损耗；当能量回馈时，

Q3、Q4 关断，漏感能量转移到吸收电路电容中，Q3、Q4 开通，

电容的能量通过

MOS 管消耗在电阻上。

　　

B．RCD 吸收电路（见图 3）

　　当高频逆变器工作时，取电容足够大，则

RCD 吸收电路等效为电压源，当能量从负载

向电源回馈时，电容吸收存储在漏感中的能量，并将这部分能量消耗在电阻中。如保证
MOS 管漏源阻断电压 UBR 大于最大谐振尖峰电压，即 UBR> u0MAX+UIN´N，则采
用该种结构吸收电路其损耗较小。
通过

Pspice 仿真计算，在保证相同漏源尖峰电压的前提下，得到两种吸收电路的损耗对比。

从表中可得，在输出空载（

R=10K）时，RC 吸收电路损耗是 RCD 吸收电路损耗得 3 倍还

多。

3　变压器的能量耦合

　　在

Flyback 电路中，功率管开通，能量存储在变压器磁芯中，功率管关断，能量经变