目前在实际的太阳能硅片切割清洗过程中，一般按按下述办法进行清洗以去除沾污。 

　

  1、 用 H2O2 作强氧化剂，使

“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗

液中或吸附在硅片表面。

 

　

  2、 用无害的小直径强正离子（如 H+），一般用 HCL 作为 H+的来源，替代吸附在硅片

表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。

　

  3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。  

　

  由于 SC-1 是 H2O2 和 NH4OH 的碱性溶液，通过 H2O2 的强氧化和 NH4OH 的溶解作用，

使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除；同时溶液具有强氧化性和

络合性，能氧化

Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg 等，使其变成高价离子，然后进一步与

碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。因此用

SC-1 液清洗抛光片既能

去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。在使用

SC-1 液时结合使用兆声波来清洗可获得更

好的清洗效果。

 

    另外 SC-2 是 H2O2 和 HCL 的酸性溶液，具有极强的氧化性和络合性，能与氧化以前的

金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与

CL-作用生成的可溶性络合

物亦随去离子水冲洗而被去除。