低

70%，能够在宽温度范围内保持高能效，并提高设计人员优化系

统工作频率的灵活性。

意法半导体的

1200V 碳化硅二极管试验证明，即便负载和开关频率

很高，逆变器总体能效仍然提高

2%。在逆变器的额定生命周期内，

2%的能效改进可让家庭太阳能发电系统和大功率发电站节省数兆瓦

小时的宝贵电能。

意法半导体还发布了碳化硅

MOSFET 项目的最新进展。意法半导体

的碳化硅

MOSFET 将是世界首批商用碳化硅 MOSFET。因为有诸多

优点，预估将会取代太阳能逆变器中的高压硅绝缘栅双极晶体管

(Insulated GateBipolar Transistor,IGBT)。除了比 IGBT 降低 50%的能耗

外，碳化硅

MOSFET 无需特殊的驱动电路，且工作频率更高，这让

设计人员能够尽可能削减电源元器件数量，降低电源成本和尺寸，

并提高能效。