MOSFET 损耗达到最大（假设控制器为全输出时）。为了分析方便，我们假设电机堵转时 B
相上管工作在

PWM 模式下，C 相下管一直导通，B 相下管为同步整流工作方式。

    功率损耗计算如下： 

    3.1 B 相上管功率损耗： 

    3.1.1 B 相上管开通损耗(t1-t2);

    3.1.2 B 相上管关断损耗(t3-t4);

    3.1.3 B 相上管导通损耗(t5-t6);

    B 相上管总损耗： 

    Phs(Bphase)=Phs(turn on)+Phs(turn off)+Phs(on)=5.1+3.75+7.5=16.35W 

    3.2 B 相下管功率损耗： 

    3.2.1 B 相下管续流损耗(t7-t8); 

    PLS(Bphase)=PLS(freewheel)=I

2

×Rds(on)×(1-D)=40

2

×0.015×(1-20/64)=16.5 W 

    3.3 C 相下管功率损耗 

    因为 C 相下管一直导通，所以功率损耗计算如下： 

    PLS(Cphase)=PLS (on) = I

2

×Rds(on) = 40

2

×0.015 = 24 W 

    控制器的功率管总损耗为： 

    Ptatal=PHS(Bphase)+PLS(Bphase)+PLS(Cphase)=16.35+16.5+24=56.85 

    4. 热模型 

    TO-220 典型的安装结构及热模型。热阻与电阻相似,所以我们可以将 Rth(ja)看着几个小的
电阻串联，从而有如下公式：

 

    Rth(ja) = Rth(jc) + Rth(ch) + Rth(ha) 

    其中： 
    Rth(jc)--- 结点至 MOSFET 表面的热阻 
    Rth(ch)---MOSFET 表面至散热器的热阻 
    Rth(ha)---散热器至环境的热阻 (与散热器的安装方式有关)