另外，晶化的技术也有很多种，目前小尺寸最常用的是

ELA，其它的晶化技术还有：

SLS、YLA 等，有的公司也在利用其它的技术研发 AMOLED 的 TFT 基板，例如金属诱导晶
化技术，也有相应的样品展出，但这一技术的主要问题是金属会导致膜层间的电压击穿，
漏电流大，器件稳定性无法保证

(由于 AMOLED 器件是特别薄的，各层间加工时保证层面

干净度，防止电压击穿是重要的一项课题

)。

LTPS 技术的主要缺陷有如下几点：
●生产工艺比较复杂，使用的 Mask 数量为 6—9 道，初期设备投入成本高。
●受激光晶化工艺的限制，大尺寸化比较困难，目前最大的生产线为 G4.5 代。
●激光晶化造成 Mura 严重，使用在 TV 面板上，会造成视觉上的缺陷。
(3)非晶硅技术(a-Si TFT)
非晶硅技术最成功的应用是在液晶生产工艺中，目前的

LCD 厂家，除少数使用 LTPS

技术外，绝大部分使用的是

a-Si 技术。

a-Si 技术在液晶领域成熟度高，其器件结构简单，一般都为 1T1C(1 个 TFT 薄膜晶体管

电路，

1 个存储电容)，生产制造使用的 Mask 数量为 4—5，目前也有厂家在研究 3Mask 工

艺。

另外，采用

a-Si 技术进行 AMOLED 的生产，设备完全可以使用目前液晶 TFT 加工的

原有设备，初期投入成本低。

再者，非晶硅技术大尺寸化已完全实现，目前在

LCD 领域已做到 100 寸以上。

虽然在

LCD 领域，a-Si 技术为主流，但 OLED 器件是电流驱动方式，a-Si 器件很低的

电子迁移率无法满足这一要求，虽然也有公司

(例如加拿大的 IGNIS)在 IC 的设计上进行了

一些改善，但目前还无法从根本上解决问题

LTPS 技术主要技术瓶颈在晶化的过程，而 a-Si 技术虽然制造过程没有技术难题，但匹

配的

IC 的设计难度要高得很，而且目前 IC 厂商都是以 LTPS 为主流，对 a-Si 用 IC 的开发

投入少，因此如果采用

a-Si 技术进行生产，则 IC 的来源是一个严重的瓶颈和掣肘，另外器

件的性能将会大打折扣。

(4)微晶硅技术(Microcrystalline Silicon TFT)
微晶硅技术在材料使用和膜层结构上，和

LCD 常见的非晶硅技术基本上是相同的。

微晶硅技术器件的电子迁移率可达到

1—10 cm2/V-s，是目前索尼选择的技术。

这种技术虽然也能达到驱动

OLED 的目的，但由于其电子迁移率低，器件显示效果差，

目前选择作为研究方向的厂家较少。

通过对各种

TFT 技术比较，我们可以看出，LTPS 技术主要的优点是电子迁移率极高，

完全满足

OLED 的驱动要求，而且经过几年的商业化生产，良品率已达到 90%左右，生产

成熟度高。主要的问题是初期设备投入成本高，大尺寸化比较困难。

金属氧化物技术电子迁移率虽然没有

LTPS 高，但能够满足 OLED 的驱动要求，并且

其大尺寸化比较容易。主要的问题是稳定性差，没有成熟的生产工艺。

微晶硅和非晶硅技术虽然相对简单，容易实现大尺寸化，并且在目前

LCD 生产线上可

以制造，初期的投入成本较低，但其主要的问题是电子迁移率低的问题，适合

LCD 的电压

驱动，而不适用

OLED 的电流驱动模式，并且在 OLED 没有成熟的生产经验，器件稳定性

和工艺成熟性无法保证。

结合目前世界上所有

AMOLED 生产厂家的实际情况，以及我们上面对几种技术的比

较和分析，我们认为广东省当前在

TFT 基板技术上应采用低温多晶硅技术(LTPS)技术，采

用激光晶化方式。同时鼓励金属诱导方式的发展，如果能够在金属诱导方面取得突破，也可
以作为一个技术方向。

(5)、有机膜蒸镀技术路线选择