清洗工艺
1 原片分拣
（ 1 ）根据电阻率把电池分类。硅片常见电阻率分类 0.5-6Ω· ㎝， 0.5-3 Ω· ㎝ ， 3-6 Ω· ㎝。
（ 2 ）把藏片，厚片，薄片，缺损片，厚度不均匀片取出
2 去损伤层： Si+2NaOH （ 30% ） +H
2
O →Na
2
SiO
3
+2H
2
↑
， 原叫减薄（原来硅片太
厚，
>300μm, 目前 180±20 μm ）。思考：为什么硅片厚度会由 300 降低到 180 ？
3
制绒
Si+2NaOH(0.8%-1.3%)+H
2
O →Na
2
SiO
3
+2H
2
↑ ，溶液中加有酒精或异丙醇，增加各向异
性引子，加速形成金字塔。
85℃ 左右，时间 10-50
分钟
4 盐酸洗（ V
浓盐酸
：
V
水
=1:6
） 或盐酸（
37% ）双氧水（ 30% ）混合洗（ II
号清洗液）（
V
浓盐酸
：
V
双氧水：
V
水
=1 ： 1 ： 6
）
85℃ 左右，清洗 5-20 分钟。盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离
子能与
Pt
2+
、
Ag
+
、
Cd
2+
、
Hg
2+
等金属离子形成可溶于水的络合物。
5 HF 洗（ V
HF
:V
水
=1 ： 10 ），室温 , 5-10 分钟。有些厂家不用。
两张多晶硅绒面显微照片