第四步：退火
(1)退火真空度：大约 44．1 Pa；(2)退火温度：i 400

 

℃ ～1 000 oC；(3)退火时间：大约

8．5 h；(4)退火保温要求：完全保温；(5)连续充保护气。
第五步：冷却
(1)冷却真空度：大约 52．5 Pa；(2)冷却温度：1 000

 

℃ ～400~C；(3)冷却时问：大约 6 h；

(4)冷却保温要求：完全保温；(5)连续充保护。

2 、多晶硅铸锭炉设备组成

       为了完成上述连续的工艺过程，全自动多晶硅铸锭炉设计由下面几大部分组成，它们
分别为抽真空系统、加热系统、测温系统、保温层升降系统、压力控制系统及其它辅助系统。
(1)抽真空系统
       抽真空系统是保持硅锭在真空下，进行一系列处理，要求在不同的状态下，保持炉内
真空压力控制在一定范围内。这就要求真空系统既有抽真空设备，同时还有很灵敏的压力检
测控制装置。保证硅锭在生长过程中，处于良好的气氛中。抽真空系统
由机械泵和罗茨泵、比例阀旁路抽气系统组成。
(2)加热系统
       加热系统是保持工艺要求的关键，采用发热体加热，由中央控制器控制发热体，并可
保证恒定温场内温度可按设定值变化；同时控制温度在一精度范围内。完成硅锭在长晶过程
中对温度的精确要求。
(3)测温系统
       测温系统是检测炉内硅锭在长晶过程中温度的变化，给硅锭长晶状况实时分析判断系
统提供数据，以便使长晶状况实时分析判断系统随时调整长晶参数，使这一过程处于良好
状态。
(4)保温层升降系统
       保温层升降机构是保证硅锭在长晶过程中，保持良好的长晶速度，它是通过精密机械
升降系统，并配备精确的位置、速度控制系统来实现。保证硅锭晶核形成的优良性，保证光
电转化的高效性。
(5) 压力控制系统
       压力控制系统主要保证炉内硅锭在生长过程中，在一特定时问段内，压力根据工艺要
求保持在一压力下。它由长晶状况实时分析判断系统来控制。
(6)其它辅助系统
① 熔化及长晶结束自动判断系统：通过 i 贝 0 量装置检测硅料状态，自动判断硅料的状态，
为控制系统提供数据，实时判断控制长晶。
② 系统故障诊断及报警系统：为了保证系统长时间可靠运行，系统提供了系统故障自诊断
功能，采用人机对话方式，帮助使用者发现故障，及时排除故障，为设备安全可靠的运行
提供了安全保障。

3、多晶硅铸锭炉控制系统硬件结构组成

        为了实现设备的几大系统功能，必须有强大的计算机控制系统来完成，以往简单的控
制系统已难当此任。本控制系统采用分布式现场总线技术，它由中央控制器、现场控制器、现
场控制器的控制单元、执行机构组成。该系统不仅通讯可以冗余，控制器也可以冗余，故障
率几乎为零。中央控制器与现场控制器之间通过工业以太网联接起来。由控制台发布指令，