并同时减小串联及接触电阻，其根据沟槽位于正面或背面，又可分为：
SSBC(Single-Sided Buried
Contact)、DSBC(Double-Sided Buried Contact)、IBBC(Interdigitated Backside Buried Contact)Solar Cell 等，其效率可达
19.2%。（三）PERL(Passivated Emitter and Rear Locally Diffused)结构，为澳洲新南韦尔斯大学(UNSW)所提出来之新
结构，其效率可达
24.7%。（四）OECO 结构(Obliquely Evaporated Contact)为德国 ISFH 研究所(Institute for
Solarenergieforschung Hameln/Emmerthal)所开发之结构，其效率在 4 吋芯片可达 20%
以上所介绍之各种太阳电池的技术，有的巳经开始为量产所运用，有的仍然在实验室阶段。
至于太阳光电模板技术发展上，目前主要发展趋势为：（一）屋顶型、帷幕墙遮阳棚…等建筑整合型太阳电池模
板
(Building Integrated Photovoltaic, BIPV)建筑整合型太阳电池模板是未来发展之趋势，与建筑师结合设计具有特色
之建筑物，在建筑物设计阶段即导入，搭配建筑物之颜色、造型、结构强度要求，进行
BIPV 之设计，如此建筑物可
达到美观、安全、结构强度等要求。（二）连续式封装及自动化焊接技术导入：太阳电池模板价格逐年降低，生产成
本中虽然太阳电池成本占
70%以上，其它成本包括封装与材料成本，亦要相对降低才具竞争力。在国内高工资环境
下，唯有导入连续式封装及自动焊接技术，才可达到降低成本之目标。（三）薄型太阳电池模板封装：结晶硅薄型
太阳电池是未来
5~10 年太阳电池模板降低生产成本方法之一，相对薄型太阳电池封装亦是会衍生许多问题，如封
装设备设计，封装制程之研发、防止芯片破裂
…等。薄型太阳电池模板户外场地试验，亦是未来必须经过实地验证，
才可放心上市。
另外太阳光电系统的设置，目前国内外技术发展趋势，也由小型住宅系统逐渐发展较大型的发电系统，以及结合
BIPV 太阳光电模板的发展，未来将愈来愈多建筑整合型(BIPV)太阳光电系统于全球设置。
二、国内外发展竞争力分析
(SWOT)
由于太阳电池生产技术与国内雄厚基础的半导体产业制程技术相似，因此以既有的产业技术与研发人力为基础，
只要国内半导体业者想要投入，我国太阳光电技术的迅速发展是指日可待的。不过，在目前国内太阳光电市场规模
仍小的情况下，短期内要吸引国内半导体业者加入太阳光电产业之生产行列相当不易；但也并非全然不可能，近来
国内已有几家半导体业者因看好太阳光电市场的快速成长，已有半导体厂商投入太阳电池晶圆材料之研发与生产。
目前中美硅晶公司生产硅晶锭（
Ingot），其在 2002 年 6 月初获经济部技术处核准「高效率太阳光电能硅单晶提拉技
术开发」计划补助，是目前国内唯一的太阳电池芯片材料制造商，另外也在工业局主导性产品计划下发展
6 吋的太
阳电池用之单芯片，预计将投入单晶硅太阳电池芯片之生产；另外，大同集团旗下尚志半导体转投资之绿能科技与
茂迪都将跨入太阳电池用硅芯片的生产领域，届时将使国内太阳光电产业上游供应链更加稳固。
虽然国内市场规模太小，为发展太阳光电产业之障碍。不过，近年在主要厂商成功拓展外销市场之带动下，国内太
阳电池与模板产量之全球占有率已由
2000 年约 0.3%，大幅提高为 2003 年 2.8%。2000-2003 年期间，中国太阳光电
产业有很大的成长，太阳电池与模板产量之世界占有率已由
1.0%快速上扬为约 4.1%。
目前国内政府奖励太阳光电产业发展，提供许多奖励措施如租税优惠及系统装置费补助，但政府投入在太阳光电
推广与研发之经费为数亿元，相对其他国家仍为少，
2004 年日本太阳光电技术研发经费即约 30 亿新台币；国内因
研发投入不足，使得国际竞争力明显劣于先进国家，且恐亦未能超越韩国等主要竞争对手国，此为国内太阳光电产
业长期发展的隐忧。另外国内太阳光电为新兴产业，不论是技术研发、系统安装维护、或国际营销人才，国内都还相
当缺乏，因此政府可透过补助产学或产研合作研发计划之进行，协助企业人才养成，培训相关技术人力。
若以产业供应链的完整性衡量国内太阳光电的竞争力，虽然中游太阳电池产制能力已不成问题，但上游硅晶圆及
其材料多自国外进口，且缺乏本土的半导体设备支持，因此在目前国内市场及研发经费仍有限下，整个产业的国际
竞争力显得薄弱，如要发展国内太阳光电技术，仍需政府强力的产业政策支持及研发技术投入。而国内若能政策刺
激市场更大需求，则将有利国内整体太阳光电产业之快速发展。
三、国内外技术发展指标比较