VM 端电压上升，超过过流检测电压，且该状态持续时间超过过流检测延迟时间后，控制电
路输出低电平，关断放电控制用 FET1,放电禁止。在放电过程中， VM 端电压就是两个处
于导通态的 FET 上的压降（见图 1） ,即 VVM = I ×2RFET.式中 I 是通过 FET 的电流，即放
电电流， RFET 是 FET 的通态电阻。

充电异常保护：电池在充电过程中如果电流过大，使 VM 端电压下降，当低于某个设定值，
并且这个状态持续到过充电检测延迟时间以上时，控制电路关断充电控制用 FET2,停止充
电。当 VM 端电压重新上升到设定值以上后，充电控制用 FET1 打开，充电保护异常解除。

零伏电池充电禁止：电池在久放不用的情况下，会自身放电使电池电压下降，甚至为零伏，
有些锂电池因其特性的原因在被完全放电后不适宜再度充电。当电池电压低于某个设定值

时，充电控制用 FET2 的栅极被固定在低电位，禁止充电。只有电池本身电压在零伏电池禁
止充电电压以上时，才被允许充电。

3 电路设计

如图 2 所示，锂电池保护电路主要由基准源，比较器，逻辑控制电路以及一些附加功能块组
成。比较器检测所用到的基准电压都要通过一个基准源电路来提供，此基准源在正常工作情
况下，必须高精度，低功耗，以满足芯片要求，且能够在电源电压低至 2. 2V 时正常工作。

图 2 锂电池保护电路的内部结构